پروژه های چند فیزیکه
پروژه های الکترومغناطیس
پروژه های مهندسی شیمی
پروژه های سیالات و انتقال حرارت
پروژه های مکانیک سازه و اکوستیک
پروژه های تعامل با نرم افزارهای دیگر
- (۶۸پروژه) کل پروژه ها
- (۶پروژه) ماژول طراحی
- (۴۲پروژه) ماژول ورودی CAD
- (۲پروژه) ماژول ورودی ECAD
- (۱پروژه) ارتباط زنده برای اتوکد
- (۱پروژه) ارتباط زنده برای پیتیسی کرئو
- (۳پروژه) ارتباط زنده برای اینونتور
- (۱پروژه) ارتباط زنده برای متلب
- (۳پروژه) ارتباط زنده برای پی تی سی پرو اینجینیر
- (۳پروژه) ارتباط زنده برای سالید اج
- (۶پروژه) ارتباط زنده برای سالیدورک
میکروفن چگالنده The Brüel & Kjær 4134 Condenser Microphone – Brüel & Kjær 4134
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول مکانیک سازه ای, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین یک مدل از میکروفن چگالنده Brüel & Kjær 4134 است. هندسه و پارامترهای ماده از میکروفون واقعی هستند. سطح حساسیت مدل‌شده با اندازه‌گیری‌های انجام شده بر روی میکروفون واقعی مقایسه شده و توافق خوبی را نشان می‌دهد. تغییر شکل غشایی، فشار، سرعت و میدان الکتریکی نیز مشخص می‌شود.
گیرنده توده‌ای با اتصال کامل ویبروآکوستیک – Lumped Receiver with Full Vibroacoustic Coupling
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول RF, ماژول اکوستیک, ماژول باتری‌ها و سلول‌های سوختی, ماژول پلاسما, ماژول مکانیک سازه ای, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریهنگامی که شبیه‌سازی‌ها در توسعۀ دستگاه‌های تلفن همراه، لوازم الکترونیکی مصرفی، سمعک یا هدست نقش دارند، لازم است در نظر بگیرید که چگونه مبدل‌ها با سایر سیستم ارتباط برقرار می‌کنند. در اینجا، ما تجزیه و تحلیل تعامل بین نصب عایق لرزشی و یک مبدل سمعک مینیاتوری (یک گیرنده آرماتور متعادل Knowles® TEC-30033)را با استفاده از نمایندگی توده‌ای مبدل نشان می‌دهیم. مدل توده‌ای به عنوان یک مدار الکتروآکوستیک معادل ساده شده است. لرزش و ویژگی‌های صوتی مدل توده‌ای سپس به یک مدل چندفیزیکی از سیستم جداسازی لرزشی متصل شده تا به یک تجزیه و تحلیل کامل سیستم برسند.
گیرنده توده‌ای متصل به تست تنظیم با یک جفت‌کننده ۰٫۴ سی‌سی – Lumped Receiver Connected to Test Set-up with a 0.4cc Coupler
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول RF, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریدر این مدل یک گیرندۀ Knowles ED23146 (بلندگو مینیاتوری) به یک مجموعه آزمایشی متشکل از یک لوله گوشواره ۵۰ میلی‌متری (قطر ۱ میلی‌متر) و یک به اصطلاح جفت‌کنندۀ ۰٫۴ سی‌سی وصل می‌شود. گیرنده با استفاده از یک شبکۀ چاشنی توده‌ای مدل شده و به قسمت عنصر محدود در ورودی لوله متصل می‌شود. پاسخ در میکروفون اندازه‌گیری در جفت‌کننده و همچنین امپدانس ورودی الکتریکی به گیرنده با اندازه‌گیری‌ها مقایسه می‌شود. تلفات موجود در لولۀ باریک بلند با استفاده از ویژگی آکوستیک منطقۀ باریک در رابط فیزیکی Pressure Acoustics ، Frequency Domain گنجانده شده است.
محرک بلندگوی توده‌ای با استفاده از سیستم مکانیکی توده‌ای – Lumped Loudspeaker Driver Using a Lumped Mechanical System
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول RF, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول دینامیک چند اجزایی, ماژول مکانیک سازه ای, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظرینمونهای از بلندگوهای سیم‌پیچی متحرک که در آن پارامترهای توده‌ای رفتار اجزای الکتریکی و مکانیکی را نشان می‌دهد.
محرک بلندگوی توده‌ای – Lumped Loudspeaker Driver
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول RF, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین یک مدل از بلندگوهای سیم‌پیچی متحرک است که در آن تناسب پارامتر توده‌ای رفتار اجزای بلندگوی برقی و مکانیکی را نشان می‌دهد. پارامترهای Thiele-Small (پارامترهای سیگنال کوچک) به عنوان ورودی به مدل توده‌ای ارائه شده که توسط یک فیزیک مدار الکتریکی ارائه شده است. مدل توده به یک مدل آکوستیک فشار متقارن محوری دوبعدی متصل است که هوای اطراف (رو و زیر مخروط بلندگو) را توصیف می‌کند. بازده حاصل از این مدل، از میان موارد بسیار، حساسیت بلندگو، امپدانس و توان صوتی تابشی را شامل می‌شود. نتایج با یک راه‌حل تحلیلی بر اساس تقریب پیستون مسطح مقایسه می‌شوند.
میکروفون چگالنده محوری با توده برقی – Axisymmetric Condenser Microphone with Electrical Lumping
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل از یک میکروفن چگالنده محوری ساده است. این مدل شامل تمام فیزیک مربوطه بوده و حساسیت هندسۀ میکروفون خاص و پارامترهای ماده را تعیین می‌کند. این مدل از یک تقریب بزرگ برای مسألۀ سیگنال کوچک برقی استفاده کرده اما یک مدل FE کامل را برای سیستم مکانیکی صوتی حل می‌کند. مسألۀ خاموش (نقطه صفر) با استفاده از الکتروستاتیک و مدل غشایی کاملاً حل می‌شود.
میکروفون چگالنده محوری – Axisymmetric Condenser Microphone
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول مکانیک سازه ای, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین یک مدل از میکروفون چگالنده با هندسه محوری متقارن ساده است. هدف از این مدل توصیف دقیق در مورد اصول کار بدنی چنین میکروفونی است. میکروفن کندانسور هنگام اندازه‌گیری‌های دقیق صوتی، به عنوان میکروفونی با بالاترین کیفیت، و هنگام ضبط صدا، با خاصیت بازتولید بسیار درست در نظر گرفته می‌شود. این مبدل صوتی الکترومکانیکی با تبدیل تغییر شکل مکانیکی غشای نازک (دیافراگم) به یک سیگنال ولتاژ AC کار می‌کند.
LED با قابلیت تنظیم طول موج – Wavelength Tunable LED
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین برنامه ویژگی‌های انتشار یک LED AlGaN / InGaN را محاسبه می‌کند. شدت انتشار، طیف و کارایی برای یک ولتاژ کاربردی یا به عنوان تابعی از ولتاژ در یک محدودۀ انتخاب شده محاسبه می‌شود. ترکیب ایندیم در ناحیۀ InGaN -که دارای تابش نور است- به منظور کنترل طول موج انتشار قابل تغییر است. وقتی انتشار در طیف مرئی رخ دهد، رنگ مربوطه نمایش داده می‌شود.
شبیه‌ساز صفحه لمسی – Touchscreen Simulator
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول پلاسما, ماژول نیمه رسانا, ماژول ورودی CAD /توسط امیر حسین نظریکاندیدی به عنوان ابزار برای اثبات اولیۀ مفهوم در توسعۀ دستگاه لمسی خازنی، برنامۀ شبیه‌ساز صفحۀ لمسی یک ماتریس ظرفیت شبیه‌سازی شده و همچنین هنجار میدان الکتریکی را ارزیابی می‌کند.
تشدیدگر مرکب BAW لایه نازک – Thin-Film BAW Composite Resonator
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول مکانیک سازه ای, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریتشدیدگرهای موج صوتی حجیم (BAW) به عنوان فیلترهای باند باریک در برنامه‌های فرکانس رادیویی قابل استفاده هستند. مهمترین مزیت در مقایسه با تشدیدگرهای الکترومغناطیسی سرامیکی سنتی این است که تشدیدگرهای BAW به لطف طول موج صوتی بسیار کوچکتر از طول موج الکترومغناطیسی، می‌توانند بسیار کوچکتر شوند.
مقایسه شکاف گذردهی الکتریکی کم نازک – Thin Low Permittivity Gap Comparison
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول پلاسما, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریشرط مرزی شکاف گذردهی الکتریکی کم نازک، به معنای تقریبی یک لایۀ نازک از مواد دارای تراکم نسبی کم در مقایسه با محیط اطراف آن است. این شرط مرزی برای مدل‌سازی میدان الکترواستاتیک در دسترس است. این مثال شرایط مرزی شکاف گذردهی الکتریکی کم نازک را با یک مدل کاملا درست مقایسه کرده و دامنۀ کاربرد این شرایط مرزی را مورد بحث قرار می‌دهد.
ضخامت برشی حالت کوارتز نوسانگر – Thickness Shear Mode Quartz Oscillator
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول مکانیک سازه ای, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریبلورهای کوارتز برشی AT به طور گسترده در طیف وسیعی از برنامه‌ها، از نوسانگرها گرفته تا ریزترازها استفاده می‌شوند. یکی از خواص مهم برش AT این است که فرکانس تشدید بلور از درجه حرارت مستقل از مرتبۀ اول است. این کار در برنامه‌های سنجش جرم و زمان‌بندی مطلوب است. بلورهای برش AT در حالت برشی ضخامت ارتعاش می‌کنند – یک ولتاژ اعمال شده در قسمت‌های برش باعث ایجاد تنش برشی در داخل بلور می‌شود. این مثال لرزش یک نوسانگر برشی ضخامت برش AT را با توجه به پاسخ مکانیکی سیستم در حوزۀ فرکانس در نظر می‌گیرد. راه اندازی یک مدل کامسول با استفاده از استانداردهای مختلفی که برای تعیین جهت‌گیری مواد پیزوالکتریک تنظیم شده است، به طور مفصل پوشش داده شده است (توجه داشته باشید که جزئیات استانداردها در یک پست وبلاگ کامسول بررسی شده است). تأثیر خازن سری بر روی تشدید مکانیکی نیز در نظر گرفته شده است. اضافه کردن خازن سری روشی است که اغلب برای تنظیم نوسانات کریستالی به کار می‌رود.
تجزیه و تحلیل حرارتی یک ترانزیستور دوقطبی – Thermal Analysis of a Bipolar Transistor
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل چگونگی جفت‌شدن رابط نیمه‌هادی به رابط انتقال حرارت در جامد را نشان می‌دهد. تجزیه و تحلیل حرارتی در مورد مدل ترانزیستور دوقطبی موجود در موردی که دستگاه در پیکره‌بندی فعال به جلو عمل کند، انجام می‌شود.
دام سطحی یک دستگاه دروازه همه‌جانبه نانوسیم سیلیکونی – Surface Trapping in a Silicon Nanowire Gate-All-Around Device
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریدروازۀ همه‌جانبۀMOSFET ، شامل یک نانوسیم با الکترود دروازه‌ای است که در اطراف آن پیچیده شده است. از آنجا که کل نانوسیم کانال را تشکیل می‌دهد، این پیکره‌بندی بهترین کنترل الکترواستاتیک کانال را فراهم کرده و نامزد مناسبی را برای کوچک‌سازی MOSFETها ارائه می‌دهد.
ابزار شکاف باند ابرشبکه – Superlattice Band Gap Tool
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریابزار شکاف باند ابرشبکه به طراحی سازه‌های دوره‌ای ساخته‌شده از دو مادۀ نیمه‌هادی متناوب (ابرشبکه) کمک می‌کند. این ابزار از معادلۀ مؤثر شرودینگر جرم برای تخمین میزان انرژی حالت الکترون و حفرۀ زمین در یک ساختار ابرشبکه استفاده می‌کند. مهندسان دستگاه می‌توانند از این ابزار برای محاسبۀ سریع شکاف باند مؤثر برای یک ساختار دوره‌ای معین استفاده کرده و تا رسیدن به یک مقدار شکاف باند مورد نظر، پارامترهای طراحی را تکرار کنند.
پارامتر S یک تشدیدگر BAW لایه نازک – S-parameter of a Thin-Film BAW Resonator
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول مکانیک سازه ای, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل نحوۀ محاسبۀ پارامتر S برای یک دستگاه MEMS پیزوالکتریک را با گسترش آموزش رزولوشن کامپوزیت Thin-Film BAW ارائه می‌دهد. اندازه‌گیری پارامتر S معمولاً برای توصیف چنین دستگاه‌هایی برای برنامه‌های RF استفاده می‌شود. ویژگی پایانه در رابط فیزیکی الکترواستاتیک دسترسی مستقیم به پارامترهای S محاسبه‌شده برای انواع مطالعۀ دامنه فرکانس را فراهم می‌کند.
تجزیه و تحلیل سیگنال کوچک Small Signal Analysis of a MOSFET – MOSFET
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل نحوۀ محاسبۀ خصوصیات AC یک MOSFET را نشان می‌دهد. هر دو رسانایی خروجی و رسانایی متقابل به عنوان تابعی از جریان تخلیه محاسبه می‌شوند.
شبیه سازی یک ترانزیستور با تأثیر میدان حساس به یون (Simulation of an Ion-sensitive Field-effect Transistor (ISFET) – (ISFET
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول الکتروشیمی, ماژول باتری‌ها و سلول‌های سوختی, ماژول رسوب دهی الکتریکی, ماژول مهندسی واکنش شیمیایی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظرییک ترانزیستور با تأثیر میدان حساس به یون (ISFET) با جایگزین کردن تماس دروازه MOSFET با الکترولیت مورد علاقه ساخته می‌شود. غلظت یک گونۀ یونی خاص در الکترولیت را می‌توان با اندازه‌گیری تغییر در ولتاژ دروازه به دلیل تعامل بین یون‌ها و دی‌الکتریک درگاه تعیین کرد.
سلول خورشیدی سیلیکونی با پرتو نوری – Si Solar Cell with Ray Optics
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول اشعه نوری, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریبرنامۀ سلول خورشیدی سیلیکونی با پرتو نوری، ماژول پرتو نوری و ماژول نیمه‌هادی را ترکیب کرده تا عملکرد یک سلول خورشیدی سیلیکونی را برای یک تاریخ و مکان خاص نشان دهد. ماژول پرتو نوری میانگین نورپردازی را برای تاریخ و مکانی که توسط کاربر برنامه انتخاب شده است محاسبه می‌کند. سپس، ماژول نیمه‌هادی ویژگی‌های خروجی عادی سلول خورشیدی را با پارامترهای طراحی مشخص شده توسط کاربر محاسبه می‌کند.
سلول خورشیدی سیلیکونی یک‌بعدی – Si Solar Cell 1D
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریدر این آموزش از یک مدل یک‌بعدی سادۀ سلول خورشیدی سیلیکونی استفاده شده تا مراحل اساسی برای تنظیم و انجام یک شبیه‌سازی فیزیکی دستگاه را با ماژول نیمه‌هادی نشان دهد. یک عبارت تعریف شده توسط کاربر برای میزان تولید عکس استفاده شده و نتیجه منحنی‌های معمولی I-V و P-V سلول‌های خورشیدی را نشان می‌دهد.
نتایج خودسازگار شرودینگر-پواسون برای یک نانوسیم Self-Consistent Schrödinger-Poisson Results for a GaAs Nanowire – GaAs
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل معیار، یک نانوسیم GaAs را با استفاده از نظریۀ شرودینگر-پواسون خودسازگار برای محاسبۀ چگالی الکترونی و پروفایل‌های پتانسیل محکم شبیه‌سازی می‌کند. ویژگی‌های متصل چندفیزیکی شرودینگر-پواسون از پیش تعریف شده با نوع مطالعۀ اختصاصی شرودینگر-پواسون ترکیب شده تا روشی ساده برای تنظیم مدل و ایجاد خودکار تکرارهای خودسازگار با پارامترهای قابل تنظیم برای بهینه‌سازی همگرایی در شرایط مختلف ارائه شود. چگالی الکترونی محاسبه شده و پروفایل‌های احتمالی محصور شده، به خوبی با ارقام موجود در مقالۀ مرجع مقایسه می‌شود؛ با هر دو پروفایل تولید نوسانات مکانی مشخصی از نوع فریدل در دماهای پایین.
اتصال Schottky Contact – Schottky
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین معیار رفتار یک دیود سد ایده‌آل Schottky ساخته شده از یک اتصال تنگستن که روی یک قرص سیلیکونی قرار گرفته است را شبیه‌سازی می‌کند. منحنی J-V (چگالی جریان در مقابل ولتاژ اعمال شده) حاصل از مدل یک‌طرفۀ رو به جلو با اندازه‌گیری‌های تجربی موجود در مقالات مقایسه می‌شود.
بازیابی معکوس یک دیود Reverse Recovery of a PIN Diode – PIN
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین آموزش خاموشی گذرا (بهبود معکوس) برای یک دیود PIN ساده با بار القایی، شبیه‌سازی شده بر اساس کتاب “اصول دستگاه‌های نیمه‌هادی برق” اثر B. J. Baliga را شبیه‌سازی می‌کند (صفحه ۲۵۶ ،ویراست ۲۰۰۸). بر خلاف کتاب، که فرض می‌کند یک سطح شیب‌دار جریان ثابت اولیه که با قرارگیری ناگهانی در معرض ولتاژ دستگاه در ولتاژ معکوس منبع دنبال می‌شود، در این مدل از قابلیت مدار کامسول مالتی‌فیزیک برای شبیه‌سازی بار القایی با دیود برگشتی به صورتی واقع‌گرایانه‌تر استفاده می‌کنیم. تحولات زمانی حاصل از جریان، ولتاژ و غلظت حامل به خوبی با آنچه در کتاب نشان داده شده مقایسه می‌شود (شکل ۵٫۴۵ ۵٫۴۲).
برنامه‌نویسی یک دستگاه EEPROM درگاه شناور – Programming of a Floating Gate EEPROM Device
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل ویژگی‌های جریان و شارژ یک درگاه شناور با حافظۀ فقط خواندنی قابل برنامه‌ریزی با قابلیت پاک‌کردن الکتریکی (EEPROM) را محاسبه می‌کند. یک مطالعۀ ثابت، اثرات تغییر بار ذخیره شده در درگاه شناور را با محاسبۀ منحنی‌های جریان-ولتاژ به عنوان تابعی از ولتاژ دروازۀ کنترل برای دو مقدار متفاوت از بار ذخیره شده نشان می‌دهد. سپس مطالعات وابسته به زمان برای شبیه‌سازی پالس ولتاژ گذرا بر روی دروازۀ کنترل استفاده می‌شوند. این پالس‌ها باعث تونل‌زنی جریان بین دروازۀ شناور و مادۀ نیمه‌هادی شده و به دستگاه EEPROM امکان برنامه‌ریزی و پاک‌شدن را می‌دهند.
اتصال PN یک‌بعدی – PN-Junction 1D
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل معیار ساده، پتانسیل و غلظت‌های حامل برای یک اتصال P-n یک‌بعدی را با استفاده از هر دو روش اجزاء محدود و حجم محدود محاسبه می‌کند. نتایج با دستگاه معادل کتاب “دستگاه‌های نیمه‌هادی: یک رویکرد شبیه‌سازی” توسط کرامر و هیچکون مقایسه می‌شوند.
مدار دیود PN-Diode Circuit – PN
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل پارامترهای چاشنی را برای یک دیود اتصال P-n سیلیکونی استخراج می‌کند. پارامترهای چاشنی برای ایجاد یک مدل مداری معادل یک عنصر از یکسوساز نیم‌موج استفاده شده که با یک شبیه‌سازی سطحی کامل دستگاه مقایسه می‌شود. در این مثال، یک مدل دستگاه با اتصال یک دیود اتصال P-n مش‌بندی‌شدۀ دوبعدی به یک مدار حاوی یک منبع سینوسی، یک مقاومت و یک زمین ساخته شده تا مدار اصلی یک یکسوساز نیم‌موج ایجاد شود. به منظور اعتبارسنجی نتایج شبیه‌سازی، خروجی شبیه‌سازی دستگاه با پاسخ مدار به دست آمده با استفاده از یک مدل دیود سیگنال بزرگ مقایسه می‌شود.
شیر پیزوالکتریک – Piezoelectric Valve
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول پلاسما, ماژول مکانیک سازه ای, ماژول مواد ساختاری غیرخطی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریدریچههای پیزوالکتریک به دلیل زمان پاسخ سریع و عملکرد آرام، در کاربردهای پزشکی و آزمایشگاهی استفاده می‌شوند. عملکرد انرژی آن‌ها، گرمای کمی را نیز از بین می‌برد، که اغلب برای این کاربردها مهم است.
ژیروسکوپ میزان پیزوالکتریک – Piezoelectric Rate Gyroscope
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول مکانیک سازه ای, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل نحوۀ تجزیه و تحلیل چنگال تنظیم مبتنی بر ژیروسکوپ میزان پیزوالکتریک را نشان می‌دهد.
برداشت انرژی پیزوالکتریک – Piezoelectric Energy Harvester
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول اکوستیک, ماژول پلاسما, ماژول مکانیک سازه ای, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل نشان می‌دهد که چگونه می‌توان یک ماشین برداشت پیزوالکتریکی ساده و مبتنی بر کنسول را تجزیه و تحلیل کرد. شتاب سینوسی در دستگاه برداشت انرژی استفاده شده و قدرت خروجی به عنوان تابعی از فرکانس، مقاومت ظاهری بار و بزرگی شتاب ارزیابی می‌شود.
تقویت‌کننده عملیاتی با بار خازنی – Operational Amplifier with Capacitive Load
/در ترجمه نشده, شیمی, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول پلاسما, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریتقویتکنندۀ عملیاتی (op-amp) یک تقویت‌کننده ولتاژ دیفرانسیلی با طیف گسترده‌ای از برنامه‌های کاربردی در الکترونیک آنالوگ است. این آموزش یک تقویت‌کنندۀ عملیاتی متصل به یک حلقۀ بازخورد و یک بار خازنی را مدل‌سازی می‌کند.
MOSFET به همراه مدل‌های متحرک – MOSFET with Mobility Models
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریدر این مدل نحوۀ اضافه‌کردن چندین مدل متحرک مرتبط به مثال سادۀ MOSFET نشان داده شده است.
سیگنال کوچک MOSCAP یک‌بعدی – MOSCAP 1D Small Signal
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریساختار فلزی-سیلیکون اکسید (MOS) بلوک سازندۀ اساسی برای بسیاری از دستگاه‌های مسطح سیلیکونی است. اندازه گیری ظرفیت آن، بینش زیادی در مورد اصول کار اینگونه وسایل ارائه می‌دهد. این آموزش یک مدل یک‌بعدی ساده از یک خازن MOS (MOSCAP) ایجاد می‌کند. هر دو منحنی C-V با فرکانس پایین و فرکانس بالا با استفاده از روش تجزیه و تحلیل سیگنال کوچک محاسبه می‌شوند. این مدل از فرمول سطح شبه‌فرمی و گام بررسی تعادل نیمه‌رسانا استفاده می‌کند.
MOSCAP یک‌بعدی – MOSCAP 1D
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریساختار فلزی-سیلیکون اکسید (MOS) بلوک سازندۀ اساسی برای بسیاری از دستگاه‌های مسطح سیلیکونی است. اندازه گیری ظرفیت آن، بینش زیادی در مورد اصول کار اینگونه وسایل ارائه می‌دهد. این آموزش یک مدل یک‌بعدی ساده از یک خازن MOS (MOSCAP) ایجاد می‌کند. هر دو منحنی C-V با فرکانس پایین و فرکانس بالا محاسبه می‌شوند.
مدل سازی حسگر موقعیت خازنی با استفاده از روش اجزاء محدود – Modeling a Capacitive Position Sensor Using FEM
/در ترجمه نشده, گرما و سیال, ماژول AC/DC, ماژول MEMS, ماژول پلاسما, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل آموزشی نحوۀ استخراج ماتریس‌های توده را با استفاده از مطالعۀ جاروی منبع ایستا توضیح می‌دهد. ماتریس خازنی یک سیستم پنج پایانه‌ای برای استنباط موقعیت یک شیء فلزی به جای حسگرهای موقعیت خازنی در دنیای واقعی استفاده می‌شود.
تحرک سطح لومباردی – Lombardi Surface Mobility
/در ترجمه نشده, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریفونونهای صوتی سطحی و زبری سطح تأثیر مهمی بر تحرک حامل دارد، خصوصاً در لایۀ وارونگی نازک زیر دروازه در MOSFETها. مدل تحرک سطح لومباردی پراکندگی سطح ناشی از این اثرات را به یک مدل تحرک موجود با استفاده از قانون ماتیسن اضافه می‌کند.
رابط اثرات به دام انداختن یک Interface Trapping Effects of A MOSCAP – MOSCAP
/در ترجمه نشده, شیمی, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین آموزش داده‌های تجربی نوشته‌جات را با یک مدل کامسول از یک MOSCAP با دام‌های رابط (حالت‌های سطح) مقایسه می‌کند. از ویژگی Trap-Assisted Recombination Surface برای شبیه‌سازی اثرات بارهای دام و فرآیندهای ضبط و انتشار حامل توسط تله‌ها استفاده می‌شود. تأثیر بارهای ثابت در اکسید دروازه نیز گنجانده شده است. مقادیر محاسبه‌شده از ظرفیت و رسانش به عنوان توابع ولتاژ دروازه و فرکانس، رفتار کیفی داده‌های تجربی را با بزرگی قابل مقایسه بازتولید می‌کند. این مدل از فرمولاسیون سطح شبه‌فرمی استفاده کرده و نحوۀ ترسیم مقادیری از قبیل اشغال دام را به عنوان تابعی از انرژی نشان می‌دهد.
InGaN / AlGaN دوگانه زیرساخت InGaN/AlGaN Double Heterostructure LED – LED
/در ترجمه نشده, ماژول نیمه رسانا /توسط امیر حسین نظریاین مدل یک دیود تابش نور مبتنی بر GaN را شبیه سازی می کند. شدت انتشار ، طیف و بازده کوانتومی به عنوان تابعی از جریان رانندگی محاسبه می شود.