این آموزش رابط Lumped Battery را برای مدل‌سازی کاهش ظرفیت در باتری نشان می‌دهد. مجموعه ای از پارامترهای توده ای برای توصیف از دست دادن ظرفیتی که به دلیل واکنش های انگلی در باتری رخ می دهد، با فرض عدم آگاهی از ساختار داخلی یا طراحی الکترودهای باتری یا انتخاب مواد استفاده می شود.

این مثال رابط رسانای تک یونی، باتری لیتیوم یونی را برای مطالعه تخلیه باتری لیتیوم یون با الکترولیت جامد نشان می دهد. هندسه یک بعدی و مدل همدما است. رفتار در جریان های تخلیه مختلف و رسانایی الکترولیت جامد تجزیه و تحلیل می شود.

این برنامه استفاده از یک تابع مدل جایگزین را برای پیش‌بینی قابلیت نرخ سلول باتری NMC111/گرافیت نشان می‌دهد.

این مثال نشان می‌دهد که چگونه رابط باتری لیتیوم-یون را به رابط فاز فیلد برای مدل‌سازی تغییر شکل‌های الکترود متصل کنیم.

این مثال کاربردی برای بررسی موارد زیر مفید است: ولتاژ، پلاریزاسیون (افت ولتاژ)، مقاومت داخلی، حالت شارژ (SOC) و قابلیت نرخ گذاری، در باتری های لیتیوم یون تحت شرایط همدما.

مدیریت حرارتی یک بسته باتری با در نظر گرفتن دو سناریو، هوا (همرفت طبیعی) و مواد تغییر فاز (PCM) در شکاف بین باتری ها شبیه سازی شده است.

این آموزش عمیق‌تر به بررسی قابلیت نرخ در باتری می‌پردازد و نشان می‌دهد که چگونه رابط باتری لیتیوم-یون یک ابزار مدل‌سازی عالی برای انجام این کار است.

سلول های لیتیوم منشوری به طور گسترده در وسایل نقلیه الکتریکی و سیستم های ذخیره انرژی باتری استفاده می شود.

رسوب لیتیوم فلزی بر روی الکترود منفی در اولویت نسبت به ترکیب لیتیوم به عنوان یک کاهش ظرفیت و نگرانی ایمنی برای باتری های لیتیوم یون شناخته شده است. شرایط شارژ سخت مانند جریان های بالا (شارژ سریع) و/یا دمای پایین می تواند منجر به آبکاری لیتیوم شود. این آموزش آبکاری لیتیوم را با استفاده از رابط باتری لیتیوم یونی برای پیش‌بینی زمان و مکان انتظار آبکاری در یک سلول بررسی می‌کند. افت ظرفیت حاصل برای دماها و نرخ های شارژ مختلف پیش بینی می شود.

این مثال نشان می دهد که چگونه می توان توزیع دما را در بسته باتری در حین تخلیه 4 درجه سانتی گراد مدل کرد.

در باتری لیتیوم فلزی، فلز لیتیوم در هنگام شارژ روی الکترود منفی رسوب می کند.

در یک سلول باتری استوانه‌ای یا منشوری، لایه‌های فعال، فویل‌های فلزی جمع‌کننده جریان و جداکننده‌ها به یک «ژله رول» پیچیده می‌شوند. زبانه های اضافی (نوارهای فلزی) به فویل های جمع کننده جریان جوش داده می شوند تا جریان را به قسمت بیرونی قوطی سلول هدایت کنند. تأثیر متقابل ابعاد مختلف لایه ها و زبانه ها، در ترکیب با مقدار جریان سلول، بر توزیع دما و جریان در سلول باتری حاکم است.

به دلیل سوء استفاده، مانند اتصال کوتاه داخلی یا خارجی یا گرمایش بیش از حد، یک سلول باتری جداگانه ممکن است به سمت گرما برود که در طی آن سلول باتری مقدار قابل توجهی گرما تولید می کند.

سیستم های ذخیره انرژی باتری با توان بالا (BESS) اغلب مجهز به سیستم های خنک کننده مایع هستند تا گرمای تولید شده توسط باتری ها را در حین کار حذف کنند.

طراحی پوشش ضد انعکاس نقش مهمی در افزایش انتقال نور مادون قرمز دارد که از طریق ساختارهای نوری مانند لنز و پنجره منتشر می شود.

سیستم های ذخیره انرژی باتری با توان بالا (BESS) اغلب مجهز به سیستم های خنک کننده مایع هستند تا گرمای تولید شده توسط باتری ها را در حین کار حذف کنند.

این مدل فرآیند ارزیابی سطح مقطع راداری (RCS) یک کره فلزی را از طریق استفاده از روش المان مرزی (BEM) نشان می‌دهد. با استفاده از یک صفحه تقارن عمودی که موازی با قطبش میدان پس‌زمینه تصادفی است، این مدل هزینه‌های محاسباتی را کاهش می‌دهد. مقادیر RCS محاسبه شده با مقادیر تحلیلی در منطقه Mie RCS مقایسه می شود.

این ورودی گالری برنامه نشان می دهد که چگونه تشعشعات میدان دور را می توان در صورت وجود یک بستر محاسبه کرد. دو رویکرد نشان داده شده است. یک فرم ساده شده که برای دو حوزه همگن کار می کند و یک رویکرد کلی که می تواند چندین لایه ناهمگن را مدیریت کند.

پراکندگی مودال در یک فراماده را می توان با تغییر نوع ماده و ابعاد سلول های واحد سازنده مهندسی کرد.

محاسبات نوری یک الگوی نویدبخش جایگزین کامپیوترهای الکترونیکی فعلی بوده است. این مدل یک دستگاه ضرب ماتریس واحد نوری 4 در 4 را بر اساس شبکه ای از شش تداخل سنج ماخ زندر (MZI) شبیه سازی می کند.

در این مدل، ما یک روش پوشش با استفاده از یک تک لایه گرافن تنظیم شده الکتریکی را معرفی می‌کنیم. ما نشان خواهیم داد که وقتی یک پراکنده دی الکتریک استوانه ای با گرافن پوشانده می شود، سطح مقطع پراکندگی در فرکانس تعیین شده بسیار کاهش می یابد و آن را از نظر الکترومغناطیسی نامرئی می کند.

در این مثال، خواص یک ماده مهندسی شده توسط توزیع دی الکتریک از نظر مکانی متغیر مدل شده است. به طور خاص، یک شکل عدسی محدب از طریق تغییر شکل شناخته شده یک دامنه مستطیلی تعریف می شود. توزیع دی الکتریک بر روی دامنه مستطیل شکل اصلی تغییر شکل نیافته و بر روی شکل تغییر شکل یافته عدسی ترسیم می شود. اگرچه شکل عدسی تعریف شده در اینجا محدب است، توزیع دی الکتریک باعث واگرایی پرتو فرودی می شود.

این مثال نحوه بهینه سازی ضخامت مواد پوشش آینه ای سیستم های میکروالکترومکانیکی (MEMS) را برای حداکثر بازتاب نشان می دهد. برای کاهش زمان شبیه‌سازی، از یک شرط مرزی امپدانس لایه‌ای برای مدل‌سازی مواد پوشش نازک در بالای آینه فلزی استفاده می‌شود.

محاسبات نوری یک الگوی نویدبخش جایگزین کامپیوترهای الکترونیکی فعلی بوده است. این مدل یک دستگاه ضرب ماتریس واحد نوری 4 در 4 را بر اساس شبکه ای از شش تداخل سنج ماخ زندر (MZI) شبیه سازی می کند.

می توان ساختار مواد را طوری مهندسی کرد که هم گذردهی و هم نفوذپذیری منفی باشد. چنین موادی با مهندسی ساختار تناوبی با ویژگی های قابل مقایسه در مقیاس با طول موج محقق می شوند. مدل‌سازی سلول‌های واحد منفرد چنین ماده‌ای و همچنین مدل‌سازی ویژگی‌های یک ماده با شاخص منفی توده امکان‌پذیر است. این مثال روش صحیح مدل‌سازی دامنه فراماده با گذردهی و نفوذپذیری منفی توده را نشان می‌دهد.

این مدل نحوه شبیه سازی انتشار امواج هدایت شده را در یک موجبر نوری دی الکتریک S-bent نشان می دهد. این مدل نشان می‌دهد که تقریب فاز، مورد نیاز امواج الکترومغناطیسی، رابط پوشش پرتو، می‌تواند با حل یک معادله دیفرانسیل جزئی اضافی به صورت عددی محاسبه شود.

این مدل قابلیت سوئیچینگ یک سلول نمایشگر کریستال مایع (LC) را در پیکربندی سوئیچینگ درون هواپیما (IPS) نشان می دهد.

این مدل بر اساس مدل بلور فوتونیک، که در آن ساختار بلوری فوتونی مورد مطالعه قرار می گیرد، ساخته شده است. این ساختار دارای یک شکاف باند است، بنابراین فقط امواج در یک محدوده فرکانس خاص از طریق هندسه راهنمای مشخص شده منتشر می شوند.

این مدل شامل یک موجبر دال دی الکتریک با یک جسم فلزی کوچک در نزدیکی آن است. جسم باعث می شود نور پراکنده شود، جذب شود و هم در طول موجبر منعکس شود و هم منتقل شود.

این مدل بهینه‌سازی پهنای باند را برای پوشش‌های ضد انعکاس ریز ساختاری که در مدل (#99011) مدل‌سازی شده‌اند، نشان می‌دهد.

این مثال استفاده از فرمول Scattered Field را برای محاسبه پراکندگی نور از یک پراکنده منفرد در بالای یک نیمه فضای دی الکتریک نشان می دهد. از معادلات تحلیلی فرنل برای طراحی زمینه پس زمینه استفاده می کند.

در این مدل، یک تحلیل فرکانس ویژه برای ارائه یک تجزیه و تحلیل باند شکاف از یک کریستال فوتونی چند لایه 1 بعدی که تا بی نهایت در جهت +/- y گسترش می‌یابد انجام می‌شود.

این مدل نشان می دهد که چگونه می توان شبیه سازی یک فیلتر رنگی جذب کننده باند استاپ را بر اساس یک آرایه شش ضلعی از سوراخ ها در یک لایه آلومینیومی نازک انجام داد. ساختار به صورت شش ضلعی تناوبی است اما این مثال همچنین نحوه تنظیم مدل را به صورت دوره ای مستطیلی نشان می دهد.

فرمول دو طرفه رابط Beam Envelopes نه تنها برای شبیه‌سازی موج ضد انتشار بلکه برای امواجی که تا دو جهت منتشر می‌شوند نیز قابل استفاده است.

این آموزش نشان می دهد که چگونه معادله موج وابسته به زمان کامل را در رسانه های پراکنده مانند پلاسما و نیمه هادی ها حل کنیم.

شبیه‌سازی پراکندگی الکترومغناطیسی برای یک جسم با تقارن دورانی پیوسته می‌تواند در تقارن محوری دو بعدی به جای سه بعدی انجام شود تا زمان و منابع محاسباتی به شدت کاهش یابد. این مدل نشان می دهد که چگونه می توان با استفاده از انبساط موج صفحه در مختصات استوانه ای، فرود دلخواه موج صفحه را در مدل های متقارن محوری دوبعدی شبیه سازی کرد.

این یک برنامه شبیه سازی ساده و در عین حال قدرتمند برای طراحی فلزات بازتابنده دو بعدی است.

امواج الکترومغناطیسی که برای انتشار در امتداد یک سطح محدود می شوند، مانند پلاریتون های پلاسمون سطحی (SPPs)، به دلیل کاربردهای بالقوه آنها در دستکاری نور در مقیاس نانو، مورد توجه تحقیقاتی زیادی هستند.

این مدل شکل‌دهی پرتو گاوسی به لاگر گاوسی را با رابط Beam Envelopes، فرمول‌بندی موج یک‌طرفه، شبیه‌سازی می‌کند. پرتو ورودی یک پرتو گاوسی متمرکز با فاز مارپیچی توپولوژیکی است. مشخص است که این ماسک فاز یک پرتو گاوسی را به یک پرتو دونات تبدیل می کند. با انتشار پرتو، فاز حول محور نوری می چرخد. بنابراین پرتو حاصل را پرتو گردابی می نامند که معمولاً با پرتو لاگر-گاوسی نشان داده می شود.

این مدل انتشار دو باند فرکانسی را در یک بلور فوتونیک با سه پورت شبیه سازی می کند. کریستال در ابتدا متقارن است، به طوری که دو باند فرکانسی به طور مستقیم به هر یک از درگاه های خروجی یکسان هستند. این مدل موقعیت ستون ها را بهینه می کند تا دو باند فرکانسی به پورت های خروجی مختلف بروند.

این مدل نشان می دهد که چگونه می توان یک منحرف کننده پرتو فراسطحی را که از شکست غیرعادی استفاده می کند، شبیه سازی کرد.

این مثال خواص طیفی یک تشدید کننده حلقه نوری سه بعدی را محاسبه می کند. این مدل نحوه استفاده از قطعات کتابخانه قطعات اپتیک موج و نحوه تنظیم شرایط مرزی تداوم میدان را در مرزها نشان می‌دهد، جایی که یک جهش در تقریب فاز از پیش تعریف‌شده وجود دارد.

این مدل نحوه تنظیم یک مطالعه FFT دامنه زمانی به فرکانس را برای ساختار بازتابنده براگ توزیع شده (DBR) نشان می‌دهد.

یک ساختار موجبر نوری مخروطی برای تطبیق دو موجبر با مقاطع هندسی متفاوت و/یا پارامترهای مواد مختلف استفاده می شود. موجبر مخروطی یک مقطع هندسی در صفحه ورودی و یک مقطع دیگر در صفحه خروجی دارد.

یک موج صفحه بر روی یک شبکه شش ضلعی منعکس کننده برخورد می کند. سلول توری از یک نیمکره بیرون زده تشکیل شده است. ضرایب پراکندگی برای مرتبه های پراش مختلف برای چند طول موج مختلف محاسبه می شود.

یک مطالعه فرکانس ویژه برای یافتن فرکانس رزونانس و افزایش آستانه برای یک لیزر ساطع کننده سطحی حفره عمودی با اکسید محدود، مبتنی بر GaAs، استفاده می‌شود.

یک موج الکترومغناطیسی صفحه ای که در فضای آزاد منتشر می شود، با زاویه ای بر یک محیط دی الکتریک بی نهایت برخورد می کند. این مدل ضرایب بازتاب و انتقال را محاسبه می کند و نتایج را با معادلات فرنل مقایسه می کند.

میکروکره های دی الکتریک می توانند حالت های گالری پچ پچ را با فاکتورهای کیفیت نوری بالا پشتیبانی کنند. این مدل نحوه محاسبه حالت های ویژه و فرکانس های تشدید را نشان می دهد.

تولید تابش لیزر در بخش با طول موج کوتاه از بخش مرئی و نزدیک به مرئی طیف الکترومغناطیسی دشوارتر از بخش طول موج بلند است.

یک مطالعه تحلیل حالت برای یافتن شاخص‌های مؤثر پیچیده برای فیبر نوری ریزساختار (MOF)، که از سوراخ‌های هوا در میزبان سیلیس تشکیل شده است، استفاده می‌شود. از آنجایی که ضریب موثر کوچکتر از ضریب شکست مواد پس زمینه سیلیس است، حالت ها نشتی دارند.

تشدید کننده Fabry-Pero یکی از دستگاه های نوری اساسی است و طیف وسیعی از کاربردها را دارد. چند مثال این است که می توان از آن برای اندازه گیری طول، فرکانس/طول موج یا فیلتر حالت های فضایی خاص استفاده کرد.

متمرکز کردن پرتو لیزر بر روی نوک فیبر تک حالته یک روش معمول برای جفت کردن نور است.

پلاریتون پلاسمون سطحی (SPP) و همچنین انواع دیگر امواج الکترومغناطیسی سطحی به دلیل خواص فیزیکی منحصر به فرد و پتانسیل های کاربردی بسیار مورد توجه است.

مدارهای مبتنی بر پلاسمون سطحی در کاربردهایی مانند تراشه‌های پلاسمونیک، تولید نور و نانولیتوگرافی استفاده می‌شوند. کاربرد آنالایزر گریتینگ سیم پلاسمونیک ضرایب شکست، انعکاس چشمی، و پراش مرتبه اول را به عنوان تابعی از زاویه برخورد برای یک شبکه سیم پلاسمونیک روی یک بستر دی الکتریک محاسبه می کند.

یک مدولاتور Mach-Zehnder برای کنترل دامنه یک موج نوری استفاده می شود. موجبر ورودی به دو بازوی تداخل سنج موجبر تقسیم می شود. اگر در یکی از بازوها ولتاژ اعمال شود، برای موجی که از آن بازو می گذرد، تغییر فاز القا می شود. هنگامی که دو بازو دوباره ترکیب می شوند، اختلاف فاز بین دو موج به یک مدولاسیون دامنه تبدیل می شود.

گرافن، اتم‌های کربن که در یک شبکه دو بعدی شش ضلعی چیده شده‌اند، از زمان کشف تجربی آن در حدود دو دهه پیش، علاقه‌های تحقیقاتی و کاربردی فوق‌العاده‌ای را برانگیخته است. این ماده جادویی علاوه بر نازک بودن، دارای خواص جالب زیادی از جمله رسانایی الکتریکی و حرارتی بالا، الاستیسیته بالا، استحکام مکانیکی بالا و غیره است. در میان کاربردهای مختلف، یک زمینه امیدوارکننده، دستگاه‌های الکترواپتیکی مبتنی بر گرافن، مانند آشکارسازهای نوری، فتودیودها و فرامواد است.

این آموزش پسماند منحنی‌های رسانایی- گیت-ولتاژ (G-Vg) یک FET نانوسیم InAs را با استفاده از تئوری چگالی- گرادیان برای افزودن اثر محصور شدن کوانتومی به فرمول‌بندی رانش- انتشار معمولی، بدون افزایش زیاد هزینه های محاسباتی هیسترزیس توسط اثرات شارژ دینامیکی تله های رابط نیمه هادی-اکسید سریع و آهسته توزیع انرژی پیوسته و از هر دو نوع دهنده و گیرنده ایجاد می شود.

این مدل نحوه مدل‌سازی یک ترانزیستور اثر میدان آلی دردار الکترولیت را بر اساس یک مدل انتشار رانش عمومی نشان می‌دهد. این مدل از رابط معادله همرفت- انتشار پایدار و رابط الکترواستاتیک استفاده می کند. مشخصات ترانزیستور به تصویر کشیده می شود. تشکیل EDL ها در دستگاه شبیه سازی شده، ویژگی کلیدی EGOFET ها را نشان می دهد.

در این نیمه اول از یک مثال دو قسمتی، یک مدل دوبعدی از یک IGBT دروازه ترانشه ساخته شده است که در نیمه دوم به سه بعدی گسترش خواهد یافت.

این نمونه معیار دو مدل از مقاومت کلوین پل متقاطع را می سازد که برای استخراج مقاومت تماس خاص استفاده می شود. مدل اول با استفاده از ویژگی مقاومت تماسی که در رابط نیمه هادی ساخته شده است، سیستم را به صورت سه بعدی شبیه سازی می کند. مدل دیگر یک تقریب 2 بعدی از سیستم است که در مقاله مرجع توسعه یافته است، که با استفاده از یک رابط ریاضی PDE مرزی پیاده سازی شده است.

در این نیمه دوم از یک مثال دو قسمتی، یک مدل سه بعدی از یک IGBT دروازه ترانشه با اکسترود کردن مدل دو بعدی از نیمه اول ساخته شده است. برخلاف مدل دوبعدی، اکنون می‌توان تابش‌های متناوب n+ و p+ را در جهت اکستروژن مانند دستگاه واقعی مرتب کرد. این ترتیب واقعی تر منجر به توافق کمی بهتر با داده های تجربی می شود. چگالی جریان کلکتور محاسبه شده به عنوان تابعی از ولتاژ کلکتور به خوبی با نتیجه منتشر شده مطابقت دارد.

این مدل سه بعدی ماسفت نانوسیمی از نظریه گرادیان چگالی استفاده می کند تا اثر محصور شدن کوانتومی را به فرمول بندی انتشار رانش معمولی، بدون نیاز به هزینه های محاسباتی بیش از حد بالا، اضافه کند.

این مدل آموزشی معادله شرودینگر دو جزئی را برای حالت های ویژه یک نقطه کوانتومی سیلیکونی ساده در یک میدان مغناطیسی یکنواخت بر اساس مقاله Jock و همکارانش حل می کند.

این مدل معیار، ساختار باند ظرفیت یک کریستال بزرگ GaN wurtzite را محاسبه می‌کند، به عنوان یک آموزش برای کاربرانی که مایلند اجزای تابع موج چندگانه را با رابط معادله شرودینگر تنظیم کنند. این مدل از فرمول ارائه شده در مقاله مرجع توسط چوانگ و چانگ پیروی می کند.

این آموزش ویژگی‌های DC یک FET کانال p-InSb را با استفاده از نظریه گرادیان چگالی برای اضافه کردن اثر محصور شدن کوانتومی به فرمول‌بندی رانش- انتشار معمولی، بدون افزایش زیاد منابع محاسباتی، تجزیه و تحلیل می‌کند.

این آموزش به ترتیب تجزیه و تحلیل حالت پایدار و گذرا پاسخ دیود پین به تابش ثابت و پالسی را انجام می دهد. اثر تابش به عنوان تولید یکنواخت فضایی جفت الکترون-حفره در دستگاه مدل‌سازی می‌شود.

با افزایش مولفه موازی میدان اعمال شده، حامل ها می توانند انرژی هایی بالاتر از انرژی حرارتی محیط به دست آورند و بتوانند انرژی به دست آمده توسط میدان را با انتشار فونون نوری به شبکه منتقل کنند. اثر دوم منجر به اشباع تحرک حامل ها می شود.

این مثال یک رویکرد تقریبی برای مدل‌سازی یک سلول خورشیدی نقطه‌ای را نشان می‌دهد که توسط آساهی و همکارانش توضیح داده شده است. در مقاله مرجع چاه های کوانتومی و لایه های نقاط کوانتومی هر کدام به عنوان سطوح انرژی توده ای در شکاف نواری در نظر گرفته می شوند. نویسندگان انتقال بین سطوح نقطه/چاه و نوارهای انرژی را مشخص می کنند. بخش پیوسته چگالی جریان در غیر این صورت توسط چاه ها و نقطه ها بلامانع است. این توصیف معادل ویژگی تله گذاری در رابط نیمه هادی است، بنابراین برای مدل سازی چاه ها و نقاط در این مثال استفاده می شود. روند محاسبه شده جریان نوری و اشغال حالات نقاط کوانتومی به خوبی با نتیجه نشان داده شده در مقاله مطابقت دارد.

این مدل پارامترهای ادویه ای را برای دیود اتصال سیلیکونی p-n استخراج می کند.

این مدل معیار ساده، غلظت پتانسیل و حامل را برای یک اتصال p-n یک بعدی با استفاده از هر دو روش المان محدود و حجم محدود محاسبه می‌کند. نتایج با دستگاهی معادل از کتاب "دستگاه های نیمه هادی: رویکرد شبیه سازی" توسط کرامر و هیچون مقایسه شده است.

این مدل یک LED را شبیه سازی می کند که در قسمت مادون قرمز طیف الکترومغناطیسی ساطع می شود. ساختار دستگاه از یک اتصال p-n تشکیل شده است که توسط یک لایه دوپینگ نوع p در نزدیکی سطح بالایی یک ویفر نوع n در غیر این صورت تشکیل شده است. تولید این نوع هندسه دستگاه ساده و ارزان است و LED های مشابه در بسیاری از کاربردهای خانگی یافت می شوند، به عنوان مثال. ساطع کننده های IR در کنترل از راه دور تلویزیون. در این مدل از ویژگی انتقال نوری برای محاسبه الکترولومینسانس از دستگاه استفاده می شود. خواص الکترونیکی محاسبه شده و کارایی تولید نور ارزیابی می شود. همچنین، با تجسم توزیع فضایی بازترکیب تابشی، می توان پیشنهادات طراحی برای به حداکثر رساندن بازده کلی نور خروجی ارائه داد.

دیپلکسر وسیله ای است که سیگنال ها را به دو باند فرکانسی مختلف ترکیب یا تقسدر صنایع غذایی، گرمایش با مایکروویو به دلیل مزایای متعددی از جمله کنترل دقیق فرآیند، سرعت گرمایش، زمان روشن و خاموش شدن سریع و غیره، بیش از یک عملیات حرارتی معمولی مورد توجه قرار گرفته است. یم می کند که به طور گسترده در سیستم های ارتباطی سیار استفاده می شود.

این مدل نشان می دهد که چگونه می توان اندازه و موقعیت بهینه یک لوله آب را در یک محفظه هوا پیدا کرد، به طوری که جذب انرژی در آب به حداکثر برسد. هدف به عنوان یک محدودیت پیاده سازی می شود، به طوری که بهینه سازی پایان می یابد، زمانی که عملکرد مورد نظر به دست آمد.

در این مدل، عملکرد الکتریکی یک موجبر باند W به انتقال خط میکرواستریپ (WMLT) بررسی می‌شود. یک موجبر استاندارد WR10 استفاده می شود و انتقال از موجبر به خط ریز نوار با استفاده از کاوشگر طولی (همچنین به عنوان پروب E-plane شناخته می شود) به صورت عرضی نسبت به جهت انتشار موج حاصل می شود. برای تنظیم آسان مدل به صورت آزمایشی، طراحی WMLT به عنوان یک حالت انتقال پشت سر هم گسترش یافته است. در این طرح توسعه یافته، یک خط میکرواستریپ 50 اهم به پروب تبدیل می شود که به عنوان یک تغذیه کننده برای یک موجبر WR10 مجاور عمل می کند.

در این مدل، آنتن‌های فرستنده (پچ میکرواستریپ) و گیرنده (Yagi-Uda) به طور همزمان در حوزه FEM مدل‌سازی می‌شوند و با کوپلینگ FEM-BEM جفت می‌شوند.

این مدل تأیید از رابط امواج الکترومغناطیسی، عناصر مرزی برای شبیه سازی RCS کره کاملا رسانا استفاده می کند. نتیجه شبیه سازی شده با محاسبات تحلیلی برای تأیید صحت مقایسه می شود.

این مثال از آرایه آنتن دوقطبی یک تحلیل مقرون به صرفه را با استفاده از روش عنصر مرزی (BEM) نشان می دهد. هنگامی که با یک آرایه بزرگ ساخته شده از رادیاتورهای فلزی سروکار داریم، روش المان محدود (FEM) به منابع محاسباتی بیشتری نیاز دارد. نتایج شبیه‌سازی الگوهای تشعشع یک آرایه 1×12 را نشان می‌دهد که از آنتن‌های دوقطبی نیمه‌موج فلزی تشدید شده در 1 گیگاهرتز تشکیل شده است.

این ورودی گالری برنامه نشان می دهد که چگونه تشعشعات میدان دور را می توان در صورت وجود یک بستر محاسبه کرد. دو رویکرد نشان داده شده است. یک فرم ساده شده که برای دو حوزه همگن کار می کند و یک رویکرد کلی که می تواند چندین لایه ناهمگن را مدیریت کند.

دیپلکسر وسیله ای است که سیگنال ها را به دو باند فرکانسی مختلف ترکیب یا تقسیم می کند که به طور گسترده در سیستم های ارتباطی سیار استفاده می شود.

این مدل برای نشان دادن راه حل یک بازی فکری کلاسیک در الکترومغناطیسی استفاده می شود. یک حلقه سیم بلند به یک منبع و یک گیرنده متصل است که در فاصله 1 متری از هم قرار می گیرند. هدف این مدل محاسبه مدت زمانی است که گیرنده متوجه روشن شدن منبع و محاسبه جریان در طول زمان می شود. برای کاهش اندازه مسئله از تقارن چهار برابری استفاده می شود.

برخی از تقسیم‌کننده‌های برق سه پورت معمولی، تقسیم‌کننده‌های توان مقاومتی و تقسیم‌کننده‌های برق T-junction هستند.

در این مدل، ما یک روش پوشش با استفاده از یک تک لایه گرافن تنظیم شده الکتریکی را معرفی می‌کنیم.

این مثال از تکنیک های مجانبی برای مطالعه پاسخ مقطع راداری (RCS) یک کره رسانا استفاده می کند.

یکی از راه‌های طراحی فیلتر، استفاده از مقادیر عناصر نمونه‌های اولیه فیلتر معروف، مانند فیلترهای کم‌گذر حداکثر صاف یا موج دار است.

آنتن Yagi–Uda برای یک باند Wi-Fi خاص طراحی شده است و می تواند با هدایت سیگنال ها به کمک کارگردان ها، شنود را کاهش دهد. این آنتن از یک بازتابنده با فاصله یکنواخت و چهار کارگردان تشکیل شده است. نتایج شبیه سازی شده حداکثر افزایش 10 دسی بل و نسبت جلو به عقب 14 دسی بل را نشان می دهد.

ماتریس باتلر یک شبکه تغذیه غیرفعال تشکیل دهنده پرتو است. این یک شبکه تغذیه مقرون‌به‌صرفه برای آنتن‌های آرایه فازی است، زیرا مدار را می‌توان به شکل خطوط میکرواستریپ ساخت و راه‌حلی مناسب برای انجام اسکن پرتو بدون استفاده از دستگاه‌های فعال گران قیمت است. این مثال نحوه طراحی چنین مداری را با استفاده از رابط خط انتقال نشان می دهد. نتایج ولتاژ لگاریتمی روی مدار شکل‌دهی پرتو ماتریس باتلر در 30 گیگاهرتز و پیشرفت فاز حسابی در هر پورت خروجی را نشان می‌دهد.

این تحلیل مدل آموزشی یک آنتن پچ میکرواستریپ نشان می‌دهد که چگونه می‌توان روش المان محدود (FEM) را به روش المان مرزی (BEM) برای ارزیابی میدان خارج از حوزه محاسباتی FEM جفت کرد. این مدل پارامتر S، توزیع میدان نزدیک و الگوی تابش میدان دور را از طریق FEM و میدان‌های الکتریکی خارج از یک کره حوزه هوای معین را با BEM محاسبه می‌کند.

این مدل از ماژول های نیمه هادی و RF برای توصیف آنتن نوررسانا (PCA) استفاده می کند.

فیلترهای میکرواستریپ را می توان مستقیماً روی یک برد مدار چاپی (PCB) با یک خط میکرواستریپ از ورودی به خروجی ساخت.

این مدل دو روش برای مدل‌سازی موجبرهایی را نشان می‌دهد که از حالت‌های متعدد پشتیبانی می‌کنند. یک PML را می توان برای جذب هر حالت استفاده کرد، یا پورت ها را می توان به صراحت برای هر حالت ممکن اضافه کرد.

یک فیلتر موجبر با استفاده از بهینه سازی شکل طراحی شده است. عنبیه‌های هندسه اولیه برای اطمینان از پاسخ باند گذر خوب و رد خارج از باند بهینه شده‌اند، در حالی که تقارن آینه دوگانه حفظ می‌شود.

یک خط دیفرانسیل از دو خط انتقال تشکیل شده است که توسط دو سیگنال خارج از فاز تحریک می شوند.

این مدل ولتاژ ناشی از رعد و برق را بر روی یک خط هوایی که در بالای یک زمین دارای تلفات قرار دارد محاسبه می کند. این شامل پارامترهایی مانند زاویه شیب کانال های رعد و برق و هدایت خاک است که امکان تجزیه و تحلیل مستقیم اثرات آنها را فراهم می کند. ولتاژ القایی محاسبه شده به خوبی با اندازه‌گیری‌های تجربی همسو می‌شود.

پارامترهای S حالت مختلط پاسخ های مداری را با پورت های متعادلی که توسط دو نوع حالت برانگیخته و خاتمه می شوند، توصیف می کنند: حالت های معمول و دیفرانسیل. آنها با استفاده از یک ماتریس پارامتر S کامل از یک شبکه چهار پورت که از چهار خط منفرد تشکیل شده است، محاسبه می شوند. این مثال دو خط میکرواستریپ مجاور را تجزیه و تحلیل می کند و پارامترهای S-mode مخلوط را محاسبه می کند.

راه های متعددی برای تحریک و خاتمه خطوط انتقال با استفاده از انواع مختلف پورت و ویژگی های پورت توده ای وجود دارد. در این مثال، درگاه‌های نوع الکترومغناطیسی عرضی (TEM) و یک پورت توده‌ای از نوع via برای شبیه‌سازی دو خط میکرواستریپ مجاور استفاده می‌شوند. یکی از پایانه ها به صورت فلزی شده خاتمه می یابد در حالی که انتهای دیگر در حال بررسی سیگنال ورودی است. پارامترهای S محاسبه شده میزان تداخل بین خطوط و قدرت سیگنال جفت شده از طریق استوانه ای را نشان می دهد.

این مدل تجزیه و تحلیل موج رعد و برق در دکل های خطوط انتقال فشار قوی را نشان می دهد.

این آموزش نشان می دهد که چگونه معادله موج وابسته به زمان کامل را در رسانه های پراکنده مانند پلاسما و نیمه هادی ها حل کنیم.

این مثال نشان می دهد که چگونه یک رویداد ESD باعث خطای منطقی یک ریزتراشه روی برد PCB می شود. جریان ESD بر اساس HBM توسعه یافته (مدل بدن انسان) است و در ویژگی پورت توده ای از پیش تعریف شده است.