اتصال GaAs p-nیک LED مادون قرمز

GaAs p-n Junction Infrared LED

این مدل یک LED را شبیه‌سازی می کند که در قسمت مادون قرمز طیف الکترومغناطیسی ساطع می‌شود. ساختار دستگاه از یک اتصال p-n منفرد تشکیل شده و توسط یک لایه از دوپینگ نوع p در نزدیکی سطح بالای قرص نوع n قرار دارد.
این نوع هندسه دستگاه برای تولید ساده و ارزان است و LED های مشابه در بسیاری از کاربردهای خانگی یافت می‌شوند؛ به عنوان مثال در کنترل از راه دور تلویزیون برای پخش امواج رادیویی.
در این مدل از ویژگی Optical Transition برای محاسبۀ الکترولومینسانس دستگاه استفاده می‌شود. خواص الکترونیکی محاسبه شده و راندمان تولید نور ارزیابی می‌شود. همچنین با تجسم توزیع مخصوص بازترکیب تابشی، می‌توان پیشنهادهای طراحی را برای حداکثر کارایی کل نور خروجی ارائه نمود.