بازیابی مستقیم دیود پین

Forward Recovery of a PIN Diode

This tutorial simulates the turn-on transient (forward recovery) of a simple PIN diode, based on the book “Fundamentals of Power Semiconductor Devices” by B. J. Baliga (p. 242, 2008 edition). The diode is current driven with a constant ramp rate of 1e9, 2e9 and 1e10 A/cm^2/sec and a steady state current density of 100 A/cm^2. The resulting time evolution of the device voltage and electron concentration compare well to those shown in the book (Fig. 5.30 ~ 5.31). For a more sophisticated example including band gap narrowing, carrier-carrier scattering, and external load circuit elements, see the tutorial “Reverse Recovery of a PIN Diode”.

این آموزش بر اساس کتاب “اصول دستگاه های نیمه هادی برق” اثر B. J. Baliga (ص ۲۴۲ ، چاپ ۲۰۰۸) نوبت‌دهی گذرا (بازیابی مستقیم) یک دیود سادۀ پین را شبیه‌سازی می‌کند. دیود با یک سطح شیب ثابت ۱e9، ۲e9 و ۱e10 A/cm^2/sec جریان‌گردان بوده و چگالی جریان ثابت از مرتبۀ ۱۰۰ A/cm^2 است. تکامل زمان حاصل از ولتاژ دستگاه و غلظت الکترونی به خوبی با آنچه در کتاب نشان داده شده مقایسه می‌شود (شکل ۵٫۳۱ ~ ۵٫۳۰). برای مثال پیشرفته‌تر از جمله باریک شدن شکاف باند، پراکندگی حامل و عناصر مدار بار خارجی، به آموزش “بازیابی معکوس یک دیود پین” مراجعه کنید.