سیم‌پیچ با عایق لاک اپوکسی

مدل‌سازی جفت‌سازی خازنی و مقاومتی از طریق لایه‌های نازک در فرمولاسیون‌های کامل الکترومغناطیسی، با استفاده از یک شرایط مرزی برای لایه، نیاز به داشتن کنترل مؤلفۀ طبیعی میدان الکتریکی دارد. فرمولاسیون عناصر بردار مبتنی بر پتانسیل بردار مغناطیسی یا میدان الکتریکی، اجزای مماس را فقط در مرزها نشان داده و از این رو برای این کار بی فایده است. با این حال، ترکیب پتانسیل بردار مغناطیسی با استفاده از عناصر بردار / لبه با پتانسیل الکتریکی اسکالر با استفاده از عناصر گره / لاگرانژ گسسته شده و این نوع مدل‌سازی را امکان‌پذیر می‌سازد که در رابط میدان‌های مغناطیسی و الکتریکی در ماژول AC / DC موجود است. این فرمول به اصطلاح A-V در حوزۀ فرکانس ارائه شده و یک فرمول موج کامل است زیرا کلیه اصطلاحات در معادلات ماکسول را به خود اختصاص می‌دهد. برای مدل‌سازی لایه‌های مقاومت نازک و خازنی، یک حالت مرزی ویژه با نام “تداوم مغناطیسی” با زیرپایه‌های اتصال مقاومت ظاهری (لایۀ دی الکتریک / مقاومت) یا عایق برقی (لایۀ کاملاً عایق) وجود دارد. این مدل از سیم‌پیچ محکم با عایق لاک اپوکسی، این روش را نشان می‌دهد.