شبیه‌سازی 3 بعدی چگالی- گرادیان یک ماسفت نانوسیمی
3D Density-Gradient Simulation of a Nanowire MOSFET
این مدل سه بعدی ماسفت نانوسیمی از نظریه گرادیان چگالی استفاده می کند تا اثر محصور شدن کوانتومی را به فرمول بندی انتشار رانش معمولی، بدون نیاز به هزینه های محاسباتی بیش از حد بالا، اضافه کند. لایه اکسید به صراحت با حوزه های هندسی شبیه سازی شده است، و محصور شدن کوانتومی در رابط اکسید سیلیکون از طریق یک شرط مرزی اختصاص داده شده است. جرم موثر چگالی گرادیان ناهمسانگرد است. ابزارهای مختلف انتخاب برای ساده کردن انتساب تنظیمات فیزیک و انتخاب طرح استفاده می شود. نتیجه به خوبی با منحنی‌های Id-Vg و پروفایل‌های چگالی الکترونی منتشر شده در مقاله مرجع مطابقت دارد.
https://www.comsol.com/model/3d-density-gradient-simulation-of-a-nanowire-mosfet-73771
این لینک با استفاده از VPN باز می شود.