می توان ساختار مواد را مهندسی کرد به گونه ای که هم نفوذپذیری و هم نفوذپذیری آنها منفی باشد. چنین مواد با مهندسی یک ساختار دوره ای با ویژگی های قابل مقایسه در مقیاس با طول موج تحقق می یابد. مدل سازی هر دو سلول واحد جداگانه از چنین ماده ای و همچنین مدل سازی از خصوصیات یک ماده شاخص منفی فله امکان پذیر است.
پاسخ یک موج میلی‌متری با فرکانس‌های ۳۵ گیگاهرتز و ۹۵ گیگاهرتز، نسبت به محتوای آب بسیار حساس شناخته شده است.
آنتن‌های دومخروطی برای اندازه‌گیری فرکانس بسیار بالا (VHF) پرطرفدار هستند؛ زیرا از طیف وسیعی از فرکانس پشتیبانی می‌کنند. آنها همچنین برای تست سازگاری الکترومغناطیسی (EMC) که در آن می‌توان آنتن را به عنوان منبع RF در تست حساسیت یا ایمنی بدن استفاده کرد، مفید هستند.
این یک مدل از فرایند گرمایش در اجاق مایکروویو است. منبع حرارت توزیع شده در آنالیز الکترومغناطیسی دامنه فرکانس ثابت محاسبه می‌شود. این موضوع توسط یک شبیه‌سازی انتقال حرارت گذرا نشان داده شده است که چگونه گرما در توزیع مواد غذایی توزیع می‌شود.
گرمایش الکترومغناطیسی یک گزینۀ ایده‌آل برای مدل‌سازی در کامسول مالتی‌فیزیک است. این مدل محدودۀ تومورشناسی فوق‌گرمایی را نشان می‌دهد اما موضوعات و تکنیک‌های مدل‌سازی به طور کلی برای هر مسأله‌ای که مربوط به گرمایش الکترومغناطیسی باشد، کاربرد دارد.
فیلترهای میکرونوار را می‌توان مستقیماً بر روی صفحۀ مدار چاپی (PCB) با یک خط میکرونوار که از ورودی به خروجی می‌رود، ساخت. در امتداد خط میکرونوار تعداد زیادی خرده‌نوار در طول و عرض مشخص وجود دارد. طراحی فیلتر شامل انتخاب مقاومت ظاهری خط میکرونوار، مقاومت ظاهری میکرونوارهای خرده و طول خرده‌نوارها است.
فیلترهای میکرونوار را می‌توان مستقیماً بر روی صفحۀ مدار چاپی (PCB) با یک خط میکرونوار که از ورودی به خروجی می‌رود، ساخت. در امتداد خط میکرونوار تعداد زیادی خرده‌نوار در طول و عرض مشخص وجود دارد. طراحی فیلتر شامل انتخاب مقاومت ظاهری خط میکرونوار، مقاومت ظاهری میکرونوارهای خرده و طول خرده‌نوارها است.
آنتن وصلۀ ریزنوار در طیف گسترده‌ای از برنامه‌ها استفاده می‌شود؛ زیرا طراحی و ساخت آن بسیار آسان است. این آنتن به دلیل طراحی همدیس کم‌برش، هزینه نسبتاً کم و پهنای باند بسیار باریک جذاب است.
تغذیه آنتن‌ها با سیگنال‌های مناسب می‌تواند دشوار باشد. سیگنال اغلب به عنوان ولتاژ توصیف می‌شود و ولتاژ‌ها به خوبی در فرمولاسیون موج الکترومغناطیسی تعریف نمی‌شوند. ترفندهای مختلفی برای مدل‌سازی ولتاژ ژنراتور در چنین شرایطی وجود دارد که یکی از آنها حاشیه مغناطیسی است. در این مدل مراحل اساسی تعریف مولد ولتاژ حاشیۀ مغناطیسی برای آنتن دوقطبی نشان داده شده و همچنین مقاومت ظاهری آنتن حاصل را با نتایج شناخته شده مقایسه می‌کند.
در تجزیه و تحلیل حالت، معمولاً هدف اصلی یافتن انتشار ثابت است. این مقدار اغلب، اما نه همیشه، ارزش واقعی دارد. اگر تجزیه و تحلیل شامل بخشی پراتلاف، مانند یک رسانش غیر صفر یا مرز باز باشد، مقادیر ویژه پیچیده است. در چنین شرایطی، قسمت‌های حقیقی و موهومی تفسیرهای جداگانه‌ای دارند: * قسمت حقیقی ثابت انتشار است * قسمت موهومی ثابت میرایی است، که میرایی را در فضا اندازه‌گیری می‌کند.
