دفع بخار شیمیایی GaAs

Chemical Vapor Deposition of GaAs

رسوب بخار شیمیایی (CVD) اجازه می­دهد تا یک غشای نازک روی یک بستر از طریق مولکول­ها و قطعات مولکولی با جذب و واکنش بر روی یک سطح رشد کند. این مثال مدل­سازی چنین راکتور CVD را نشان می­دهد که در آن ابتدا تریتیل گالیم تجزیه شده و محصولات واکنش به همراه آرسنیک (AsH3) جذب می­شوند و بر روی یک بستر واکنش داده تا لایه­های GaAs را تشکیل دهند.

     سیستم CVD با استفاده از شتاب، انرژی و توازن­های انبوه -از جمله شرح مفصلی از فاز گاز و سینتیک جذب- مدل­سازی می­شود. یک طرح واکنش کاهش یافته با طرح کامل در رابط مهندسی واکنش مقایسه می­شود.

این مدل قابلیت استفاده از رابط­های مهندسی واکنش و شیمی را به همراه ویژگی گروه واکنش معکوس برای شبیه­سازی سیستم­های واکنش / حمل و نقل در صفربعد و راکتور وابسته به فضا برجسته می­کند. در رابط مهندسی واکنش می­توانید به راحتی رفتار زودگذر مجموعه­های مختلف واکنش را در یک سیستم کاملاً مختلط مطالعه کنید. رابط شیمی، سینتیک واکنش را جمع کرده و پارامترهای حمل و نقل و حرارتی را محاسبه می­کند، که می­تواند به صورت یکپارچه با رابط­های دیگر همراه باشد.

     در این نرم­افزار، شما همچنین از ویژگی Reverseible Reaction Group برای واردات CHEMKIN و سازماندهی سیستم پیچیدۀ واکنش­های انبوه و سطحی که در فرآیند CVD نقش دارند استفاده می­کنید. مدل وابسته به فضای حمل و نقل انبوه، انتقال حرارت و جریان سیال در راکتور CVD را با استفاده از حمل و نقل گونه­های رقیق، انتقال حرارت در سیالات و رابط­های جریان لایه­ای محاسبه می­کند.