دفع بخار شیمیایی Chemical Vapor Deposition of GaAs – GaAs
رسوب بخار شیمیایی (CVD) اجازه میدهد تا یک غشای نازک روی یک بستر از طریق مولکولها و قطعات مولکولی با جذب و واکنش بر روی یک سطح رشد کند. این مثال مدلسازی چنین راکتور CVD را نشان میدهد که در آن ابتدا تریتیل گالیم تجزیه شده و محصولات واکنش به همراه آرسنیک (AsH3) جذب