تأثیرات تنش-نوری در یک موجبر فوتونی

موجبرهای فوتونی مسطح در سیلیس (SiO2) پتانسیل بسیار خوبی برای استفاده در برنامه‌های مسیریابی طول موج دارند. عمده‌ترین مشکل این نوع موجبر موج‌زدایی است. ضریب شکست ناهمسانگرد منجر به تقسیم حالت بنیادی و گسترش پالس می‌شود. هدف این است که با تطبیق مواد و فرآیندهای تولید، اثرات موج‌زدایی به حداقل برسد. یکی از منابع تجزیه‌پذیری استفاده از ویفر سیلیکون (Si) به عنوان بستری است که بر روی آن ساختار موجبر قرار دارد.

پس از پخته‌شدن در دماهای بالا، عدم تطابق در انبساط حرارتی بین لایه‌های سیلیس و سیلیکون منجر به تنش‌های ناشی از گرما در ساختار، در دمای کار (به طور معمول دمای اتاق) می‌شود.