تأثیرات تنش-نوری با کرنش تخت تعمیمیافته
Stress-Optical Effects with Generalized Plane Strain
موجبرهای فوتونی مسطح در سیلیس (SiO2) پتانسیل بسیار خوبی برای استفاده در برنامههای مسیریابی طول موج دارند. عمدهترین مشکل این نوع موجبر موجزدایی است. ضریب شکست ناهمسانگرد منجر به تقسیم حالت بنیادی و گسترش پالس میشود. هدف این است که با تطبیق مواد و فرآیندهای تولید، اثرات ضد انعقاد به حداقل برسد. یکی از منابع تجزیهپذیری استفاده از قرص سیلیکون (Si) به عنوان بستری است که بر روی آن ساختار موجبر قرار دارد.
پس از پختگی در دماهای بالا، عدم تطابق در انبساط حرارتی بین لایههای سیلیس و سیلیکون منجر به تنشهای ناشی از گرما در ساختار در دمای کار (به طور معمول دمای اتاق) میشود.
تأثیرات تنش-نوری با کرنش تخت تعمیمیافته (فایل)