دام سطحی یک دستگاه دروازه همهجانبه نانوسیم سیلیکونی – Surface Trapping in a Silicon Nanowire Gate-All-Around Device
دروازۀ همهجانبۀMOSFET ، شامل یک نانوسیم با الکترود دروازهای است که در اطراف آن پیچیده شده است. از آنجا که کل نانوسیم کانال را تشکیل میدهد، این پیکرهبندی بهترین کنترل الکترواستاتیک کانال را فراهم کرده و نامزد مناسبی را برای کوچکسازی MOSFETها ارائه میدهد.