شبیه سازی یک ترانزیستور با تأثیر میدان حساس به یون (Simulation of an Ion-sensitive Field-effect Transistor (ISFET) – (ISFET
یک ترانزیستور با تأثیر میدان حساس به یون (ISFET) با جایگزین کردن تماس دروازه MOSFET با الکترولیت مورد علاقه ساخته میشود. غلظت یک گونۀ یونی خاص در الکترولیت را میتوان با اندازهگیری تغییر در ولتاژ دروازه به دلیل تعامل بین یونها و دیالکتریک درگاه تعیین کرد.