ساختار فلزی-سیلیکون اکسید (MOS) بلوک سازندۀ اساسی برای بسیاری از دستگاه‌های مسطح سیلیکونی است. اندازه گیری ظرفیت آن، بینش زیادی در مورد اصول کار اینگونه وسایل ارائه می‌دهد. این آموزش یک مدل یک‌بعدی ساده از یک خازن MOS (MOSCAP) ایجاد می‌کند. هر دو منحنی C-V با فرکانس پایین و فرکانس بالا با استفاده از روش تجزیه و تحلیل سیگنال کوچک محاسبه می‌شوند. این مدل از فرمول سطح شبه‌فرمی و گام بررسی تعادل نیمه‌رسانا استفاده می‌کند.

این آموزش داده‌های تجربی نوشته‌جات را با یک مدل کامسول از یک MOSCAP با دام‌های رابط (حالت‌های سطح) مقایسه می‌کند. از ویژگی Trap-Assisted Recombination Surface برای شبیه‌سازی اثرات بارهای دام و فرآیندهای ضبط و انتشار حامل توسط تله‌ها استفاده می‌شود. تأثیر بارهای ثابت در اکسید دروازه نیز گنجانده شده است. مقادیر محاسبه‌شده از ظرفیت و رسانش به عنوان توابع ولتاژ دروازه و فرکانس، رفتار کیفی داده‌های تجربی را با بزرگی قابل مقایسه بازتولید می‌کند. این مدل از فرمولاسیون سطح شبه‌فرمی استفاده کرده و نحوۀ ترسیم مقادیری از قبیل اشغال دام را به عنوان تابعی از انرژی نشان می‌دهد.