شرط مرزی شکاف گذردهی الکتریکی کم نازک، به معنای تقریبی یک لایۀ نازک از مواد دارای تراکم نسبی کم در مقایسه با محیط اطراف آن است. این شرط مرزی برای مدل‌سازی میدان الکترواستاتیک در دسترس است. این مثال شرایط مرزی شکاف گذردهی الکتریکی کم نازک را با یک مدل کاملا درست مقایسه کرده و دامنۀ کاربرد این شرایط مرزی را مورد بحث قرار می‌دهد.
بلورهای کوارتز برشی AT به طور گسترده در طیف وسیعی از برنامه‌ها، از نوسانگرها گرفته تا ریزترازها استفاده می‌شوند. یکی از خواص مهم برش AT این است که فرکانس تشدید بلور از درجه حرارت مستقل از مرتبۀ اول است. این کار در برنامه‌های سنجش جرم و زمان‌بندی مطلوب است. بلورهای برش AT در حالت برشی ضخامت ارتعاش می‌کنند – یک ولتاژ اعمال شده در قسمت‌های برش باعث ایجاد تنش برشی در داخل بلور می‌شود. این مثال لرزش یک نوسانگر برشی ضخامت برش AT را با توجه به پاسخ مکانیکی سیستم در حوزۀ فرکانس در نظر می‌گیرد. راه اندازی یک مدل کامسول با استفاده از استانداردهای مختلفی که برای تعیین جهت‌گیری مواد پیزوالکتریک تنظیم شده است، به طور مفصل پوشش داده شده است (توجه داشته باشید که جزئیات استانداردها در یک پست وبلاگ کامسول بررسی شده است). تأثیر خازن سری بر روی تشدید مکانیکی نیز در نظر گرفته شده است. اضافه کردن خازن سری روشی است که اغلب برای تنظیم نوسانات کریستالی به کار می‌رود.
این مدل چگونگی جفت‌شدن رابط نیمه‌هادی به رابط انتقال حرارت در جامد را نشان می‌دهد. تجزیه و تحلیل حرارتی در مورد مدل ترانزیستور دوقطبی موجود در موردی که دستگاه در پیکره‌بندی فعال به جلو عمل کند، انجام می‌شود.
دروازۀ همه‌جانبۀMOSFET ، شامل یک نانوسیم با الکترود دروازه‌ای است که در اطراف آن پیچیده شده است. از آنجا که کل نانوسیم کانال را تشکیل می‌دهد، این پیکره‌بندی بهترین کنترل الکترواستاتیک کانال را فراهم کرده و نامزد مناسبی را برای کوچک‌سازی MOSFETها ارائه می‌دهد.
ابزار شکاف باند ابرشبکه به طراحی سازه‌های دوره‌ای ساخته‌شده از دو مادۀ نیمه‌هادی متناوب (ابرشبکه) کمک می‌کند. این ابزار از معادلۀ مؤثر شرودینگر جرم برای تخمین میزان انرژی حالت الکترون و حفرۀ زمین در یک ساختار ابرشبکه استفاده می‌کند. مهندسان دستگاه می‌توانند از این ابزار برای محاسبۀ سریع شکاف باند مؤثر برای یک ساختار دوره‌ای معین استفاده کرده و تا رسیدن به یک مقدار شکاف باند مورد نظر، پارامترهای طراحی را تکرار کنند.
این مدل نحوۀ محاسبۀ پارامتر S برای یک دستگاه MEMS پیزوالکتریک را با گسترش آموزش رزولوشن کامپوزیت Thin-Film BAW ارائه می‌دهد. اندازه‌گیری پارامتر S معمولاً برای توصیف چنین دستگاه‌هایی برای برنامه‌های RF استفاده می‌شود. ویژگی پایانه در رابط فیزیکی الکترواستاتیک دسترسی مستقیم به پارامترهای S محاسبه‌شده برای انواع مطالعۀ دامنه فرکانس را فراهم می‌کند.
این مدل نحوۀ محاسبۀ خصوصیات AC یک MOSFET را نشان می‌دهد. هر دو رسانایی خروجی و رسانایی متقابل به عنوان تابعی از جریان تخلیه محاسبه می‌شوند.
یک ترانزیستور با تأثیر میدان حساس به یون (ISFET) با جایگزین کردن تماس دروازه MOSFET با الکترولیت مورد علاقه ساخته می‌شود. غلظت یک گونۀ یونی خاص در الکترولیت را می‌توان با اندازه‌گیری تغییر در ولتاژ دروازه به دلیل تعامل بین یون‌ها و دی‌الکتریک درگاه تعیین کرد.
برنامۀ سلول خورشیدی سیلیکونی با پرتو نوری، ماژول پرتو نوری و ماژول نیمه‌هادی را ترکیب کرده تا عملکرد یک سلول خورشیدی سیلیکونی را برای یک تاریخ و مکان خاص نشان دهد. ماژول پرتو نوری میانگین نورپردازی را برای تاریخ و مکانی که توسط کاربر برنامه انتخاب شده است محاسبه می‌کند. سپس، ماژول نیمه‌هادی ویژگی‌های خروجی عادی سلول خورشیدی را با پارامترهای طراحی مشخص شده توسط کاربر محاسبه می‌کند.
در این آموزش از یک مدل یک‌بعدی سادۀ سلول خورشیدی سیلیکونی استفاده شده تا مراحل اساسی برای تنظیم و انجام یک شبیه‌سازی فیزیکی دستگاه را با ماژول نیمه‌هادی نشان دهد. یک عبارت تعریف شده توسط کاربر برای میزان تولید عکس استفاده شده و نتیجه منحنی‌های معمولی I-V و P-V سلول‌های خورشیدی را نشان می‌دهد.
